標籤: 場效電晶體 飽和區

金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor ... 上述的公式也是理想狀況下，金氧半場效電晶體在飽和區操作的電流與電壓關係式。事實上在飽和區的金氧半場效電晶體汲極電流會因為通道長度調變效應（ ...

我們主要介紹的FET有接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor,. JFET)，和金 ... VDS. VDSS. 飽和區. 線性區 triode saturation. (c). (d). 半導體物理與元件5-16.

一般場效電晶體(field effect transistor，簡稱FET)和雙極電晶體一樣都有三 ... 其中IDSS 為VGS 為0 時在飽和區的汲極電流，並注意Vp 對n 通道JFET 是負的，. 且VGS ...

3.1 MOS 場效電晶體. Southern Taiwan ... 升，便會在半導體中形成一個帶負電(少數載子)的空間電荷區(Space-charge. Region)，亦可 ... 當MOSFET 在飽和區. 時，iD.

E-MOSFET 夾止飽和區直流偏壓工作點Q (VDSQ , IDQ)之求解步驟為：. 求出輸入電壓值VGS 或關係式。 代入輸出電流公式ID = k×(VGS. VGS t ) 。 由輸出迴路求出VDS ...

例3.1： n 通道MOSFET 之參數為VTN=0.75V，W=40μm，L=4μm， μn=650cm2/V-s，εox = (3.9)(8.85×10-14)F/cm。求當電晶體在飽和區，. VGS = 2VTN 之iD 電流。

金屬–氧化物–半導體場效電晶 ... 區. 圖5.2:增強型NMOS 電晶體，其閘極加上正電壓。 一個n型通道在閘極下的基板表面被感應 ... 值以使電晶體操作在飽和區且直流汲.

MOSFET其結構是金屬、氧化物、矽半導體層層重疊而得。其中氧化物(SiO2)是作為絕緣體之用，金屬主要是用來傳遞訊號，矽半導體則構成電晶體的主要 ...

其中金屬閘極及p型基體相當於電容器的兩極，而二氧化矽相當於電容器的介電質。 ... 當 逐漸增加至 時，即使再增加 ， 也不增加而為定值，此區域稱為飽和區，如圖(4) ...

兩旁的P型區在內部互相接通(用虛線表示)，稱為閘極(Gate)。(b)圖為N通道JFET的符號，依閘極箭頭的方向即可判斷出閘極是用P型材料，而 ...