標籤: 場效電晶體量測

2018年1月26日 - 下面是對場效應管的測量方法. 場效應管英文縮寫為FET.可分為結型場效應管(JFET)和絕緣柵型場效應管(MOSFET),我們平常簡稱為MOS管.而MOS ...

場效電晶體FET該如何用三用電表量測. 請各位電子學大師解救我. 目前我知道量測時黑色半圓體的平面朝自己. 中間的腳固定是B. 所以我想問的是. 1.如何判斷E跟C在 ...

在閘極與基板本體（和源極相接）間慢慢加上正電壓，由於閘極的. 結構類似電容，閘極的金屬導體會堆積一些正電荷，而在氧化物絕. 緣層另一邊，則會吸引等量的負電， ...

2018年1月26日 - 下面是對場效電晶體的測量方法場效電晶體英文縮寫為fet.可分為結型場效電晶體jfet和絕緣柵型場效電晶體mosfet,我們平常簡稱為mos管.而mos管 ...

接下來檢查FU9024N，若是故障會有背光不亮或是背光通電後恆亮，表示該晶體失去控制功能。 因為FU9024N為一P通道MOSFET，測量前先把三隻腳短路(使其回歸不 ...

這裡介紹一個簡易測試MOSFET 臨界電壓的方法。對加強型NMOS 而言，所謂的臨界. 電壓是指VGS 大到剛好將電晶體啟動(turn on)的值， ...

(2)先依圖3接好，並測量及記錄此時Vs。 圖3. Page 4. VGS(不直接量測) = VG – VS.

功率MOSFET仍然被選擇為漏源電壓在1到200伏時的器件. ISFET是離子敏感的場效應電晶體（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）,它用來測量溶液中的離子濃度。當 ...

2011年6月7日 - 看到ejohn 大大提到如何判定MOSFET的好壞這裡提供個人用電表測量的方法如有錯鋘，請予指正個人是用指針式電表測量，撥到歐姆1K的檔位先 ...