標籤: 奈米製程 閘極

2019年5月16日 - 關鍵字：三星電子；3奈米；GAA；節點設計；GAAFET；多閘極電晶體 ... 三星電子宣布，將在明年(2020)完成3奈米GAA製程開發，並在2021年開始量產 ...

2018年12月10日 - 在MOSFET 中，「閘極長度（Gate length）」大約10 奈米，是所有構造中最細小也最難製作的，因此我們常常以閘極長度來代表半導體製程的進步 ...

2019年8月15日 - 南韓媒體BusinessKorea報導，三星宣布2019年「三星晶圓代工論壇」將如期於9月4日在東京舉行，將展示自家「環繞閘極（GAA）」製程技術，並稱3奈 ...

2019年10月1日 - 以三星電子為例，該公司日前公布的3奈米技術內容裡就特別指出，將使用一種閘極全環（Gate-All-Around，GAA）製程為基礎的MBCFET架構。

2018年8月14日 - 隨著平面式結構的製程微縮陷入困境，Intel在22奈米，三星/台積電則是 ... 要達到環繞式閘極的結構，最常見的是將通道做成"奈米線" (nanowire)或" ...

2016年7月25日 - 近日合作媒體《天下雜誌》一篇〈台積電真的超越英特爾？大客戶這樣吐槽……〉討論台積電、三星的技術節點數字恐怕做過美化的問題引起不小的 ...

奈米制程是什麼，以14奈米為例，其制程是指在芯片中，線最小可以做到14奈米的尺寸，下圖為傳統 ... 借助閘极長度，電流可以用更短的路徑從Drain端到Source端。

投入2奈米製程值得嗎？ 2018年3月26日; Rick Merritt, EE Times ... 三星則宣佈計劃使用閘極全環(GAA)電晶體以實現4nm製程，目標是在2020年投入生產。 新思科技 ...

其中雄霸個人電腦(PC)領域的英特爾(Intel)已率先發表三維(3D)電晶體架構的三閘極(Tri-gate)技術，並用於22奈米(nm)製程中，更計畫以此技術架構進一步研發市場 ...

最新14 奈米製程技術，將超快效能完美展現於超薄裝置中。 ... 14 奈米技術採用第2 代3D 三閘極(tri-gate) 電晶體，實現傲視令人驚豔的極致效能、強大功能、超高密與 ...