標籤: 崩潰電壓 漏電流

一般而言，相較於採用PN接合的二極體，蕭特基二極體擁有順向電壓(VF)低、開關快等特性。但也存在著漏電流(IR)大，一但散熱設計失常，就會引發熱崩潰的缺點。

半導體二極體的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜 ... 實際的元件雖然處於逆向偏壓狀態，也會有微小的逆向電流（飽和電流、漏電流、漂移電流）通過。 ... 超過崩潰電壓以後逆向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區（崩潰區）。

請問Led逆電流(漏電電流)(崩潰電流)(IR) 過大會造成燈泡發光時什麼影響 是手摸到會被電到嗎?? (100uA) ... 只要小於VR ( 逆向崩潰電壓) 逆電流怎麼會過大？ 3.

2018年4月30日 - ... 當逆向偏壓低於崩潰電壓，只有極小的逆向電流(也稱為漏電流)，當超過膝 ... 逆向電流增加，崩潰電壓只有小幅度的變化，這個特性使得稽納二極體 ...

溫度增加時，pn接面的切入電壓如何變化？ Answer： 變小. 反向偏壓區. 當二極體被反向偏壓時，只有很小的(反向飽合電流)漏電流。但達到崩潰電壓時，電壓少許的 ...

而在本論文中，運用電漿輔助化學氣相沉積系統所沉積的高介電材料氮化矽作為氮化鋁鎵的表面隔離層以降低閘極漏電流和崩潰電壓。 實驗過程中，為了最佳化元件 ...

當半導體二極體的P 端施加正電壓，N 端施加負電壓時，此種電壓狀態稱. 為順向偏 ... 加，這種少數載子的電流稱為反向飽和電流（Reverse current），或稱為漏電電 ... 累積崩潰：. 當二極體在反向偏壓時，只有一極小的、由少數載子所構成的飽和電流.

元件量測結果顯示具高阻值氮化鋁緩衝層之元件可大幅提升其崩潰電壓，並同時維持低漏電流密度。所以，在此研究中我們深入探討不同緩衝層對蕭基二極體特性差異 ...

... 逆向偏壓時，能利用PN接面形成的空乏區夾住通道，使逆向漏電流很小，因此有如PN二極體低漏電、高崩潰電壓的優點。 為了將元件有更好的順逆向電流、電壓特性 ...

電流關係. 射極注入基極的電洞流大小是由EB接面間的順向偏壓大小來控制，和二極體. 的情形類似，在 ... 集極的摻雜通常最低，如此可增大CB極的崩潰電壓，並減小BC間逆. 向偏壓的pn接面的 ... 漏電流與電晶體的崩潰(breakdown). 5. 有關電流增益β.