標籤: 面場效電晶體

電晶體種類. 依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor,. BJT）和場效電晶體（field effect transistor, FET）。 BJT. 利用兩個很接近的pn接 ...

應用電子學7-45中興物理孫允武. 接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor, JFET). 源極. (Source). 汲極(Drain). 閘極. (Gate)1 n p+. 空乏區. 閘極(Gate)2 p+.

第八章 場效電晶體. 8-1 場效電晶體簡介. 8-2 接面場效電晶體（JFET）特性. 8-3 金氧半場效電晶體（MOSFET）特性. 8-4 場效電晶體應用. 8-5 場效電晶體偏壓.

接面場效電晶體. K30A N-Channel JFET. 1. 項目：共源極放大器. 步驟：. (1)測量IDSS與VGS。 根據圖5所示電路圖，先將VGS之電壓調整至零，緩慢增加VDS之電壓 ...

前者稱為接面場. 效電晶體(junction field effect transistor，簡稱JFET)，後者稱為金氧半場效電晶體. (metal-oxide-semiconductor field effect transistor，簡稱MOSFET) ...

場效電晶體（FET）和雙極性接面電晶體. （BJT），都具有受控電源流特性和受控開關特. 性，但不同的是，BJT是藉由基射端電壓Vbe，改. 變Ib、Ie大小，進而控制輸出 ...

一、接面型FET 1. ... 三、互補式金氧半場效電晶體(CMOS) ... 圖8-24(a)為場效電晶體的低頻等效電路，由於內部電容只在高頻時才會影響電路性能，所以在圖8-24中並 ...