標籤: 崩潰電壓 二極體

一個順向偏壓的二極體兩端的電壓降變化只與電流有一點關係，並且是溫度的函數。因此這一 ... 超過崩潰電壓以後逆向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區（崩潰區）。

齐纳二極體（英語：Zener diode），是利用二极管在反向电压作用下的稽納击穿（崩潰）效应，制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术元件，因此又称为“稳压管”。

在低頻時，整流二極體很容易在順向或逆向電壓，形成開、關狀態。 ... 當二極體在逆向偏壓時，少數載子造成逆向流動；逆向偏壓若超過了崩潰電壓時，這少數載子將 ...

當二極體所受偏壓低於切入電壓 時，流經二極體的電流可被視為零。二極體如同一個 ... 飽合電流)漏電流。但達到崩潰電壓時，電壓少許的增加，就可造成電流迅速增加。

只需記住，二極體導通時兩端電位差約等於0.7 V。 當逆向偏壓增加到某一特定的電壓值時，電流會急速的增加，此時的電壓稱. 為崩潰電壓（breakdown voltage）。

西，於是乎我們把二極體的電流-電壓特性方程式（I-V characteristics)寫出來讓同 ... 逆向偏壓太大時，二極體會"崩潰"，一般二極體一崩潰就回不來了，別試！

2007年9月2日 - 二極體的逆向特性. 存在一個崩潰電壓. 逆向電流I s. : 由少數載子通過PN 接面所形. 成. 小於崩潰電壓時， I s. 很小( 矽10nA ，鍺. 2μA). 大於崩潰電壓 ...

當半導體二極體的P 端施加正電壓，N 端施加負電壓時，此種電壓狀態稱. 為順向偏壓（Forward bias）。 ... 二極體的逆向偏壓達到某個值時, 此時會產生崩潰現象.

2. PART 1. 一、P-N 接面施加順向偏壓. 當半導體二極體的P 端施加正電壓，N 端 ... 累積崩潰：. 當二極體在反向偏壓時，只有一極小的、由少數載子所構成的飽和電流.

二極體電路試題範例及解答. Question 1. 如下圖所示之二極體電路，積納二極體的崩潰電壓為10V ，試求解電流I 。 Sol: 12. 20. 10. 10 12. V. ∙. > ⇒. +. 積納二極體崩潰.