標籤: 崩潰電壓定義

當逆向偏壓增加到某一特定的電壓值時，電流會急速的增加，此時的電壓稱. 為崩潰電壓（breakdown voltage）。半導體二極體在進入崩潰時所能承受的最大. 逆向偏壓 ...

崩潰電壓. 定義/ 臨時條目. 壓 - 7 個意思. (動詞) 由上往下施加力量 。 (動詞) 用武力或威勢制止 、 驅策他人 。 (動詞) 迫近 、 逼迫 。 (動詞) 使情況穩定 。 (動詞) 擱置不動 ...

半導體二極體的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而 ... 超過崩潰電壓以後逆向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區（崩潰區）。

請問高手，MOS電容的崩潰電壓，他的I-V曲線看崩潰電壓，是看曲線切線還是看切入點？ 請問高手，I-V曲線可以用哪些儀器量測（盡量多一點） C-V曲線可以用哪些 ...

擊穿電壓，是使某一絕緣介質在一段時間內成為導體所需加入的電壓的最低值。當加於某一絕緣 ... 另見[编辑]. 突崩潰 ...

二極體的膝點電壓(或是稱作崩潰點) 是如何定義大於幾安培，或是IV curve直接看崩潰點即可請問各位.

超過此耐壓值時，將造成電壓崩潰(Breakdown)，因而發生hFE過低等特性不佳的 ... 定義：若因施加至電晶體的電壓、電流產生功率損耗，因而造成元件發熱時，接合 ...

西，於是乎我們把二極體的電流-電壓特性方程式（I-V characteristics)寫出來讓同 ... 它的"崩潰"是可"控制"的，而且是可“恢復“的，它的崩潰電壓VBR可固定在某個.

2015年7月23日 - 介電崩潰(electrical breakdown)，或稱介電擊穿，指的是加在介質上的電壓超過擊穿電壓(擊穿的最低臨界電壓下)後，絕緣體的電阻迅速下降，繼而 ...