標籤: 蝕刻製程

蝕刻. 蝕刻製程會移除晶圓表面的特定區域，以沉積其它材料。 「乾式」(電漿) 蝕刻是用於電路清晰度步驟，而「濕式」蝕刻(使用化學浴) 主要用於清潔晶圓。 乾式蝕刻是 ...

目標. ‧熟悉蝕刻的相關術語. ‧比較溼式蝕刻與乾式蝕刻的差別. ‧列出至少三種在IC製造中需要被蝕刻的材. 料. ‧敘述電漿蝕刻製程的順序. ‧瞭解蝕刻製程在安全上的考量 ...

利用薄膜和特定溶液間所進行的. 化學反應，來去除未被光阻覆蓋. 的薄膜. ◇ 優點：製程簡單、產量速度快、. 屬等向性蝕刻. ◇ 濕式蝕刻的化學反應屬於液相及. 固相的 ...

曝光. 改變光阻劑溶解度. 顯影. 去除溶解度較高的光阻劑. 蝕刻. 移除未被光阻劑覆蓋的. 晶圓外膜. 剝除光阻劑 ... 不會被蝕刻劑或蝕刻製程侵蝕. 劑. • 可用剝除劑移除 ...

glass」。因為用在此過程中的酸劑很危險，現在大多是使. 用研磨的方法。到了近代，現在的蝕刻應用在半導體的. 製程上，透過黃光製程來定義出想要的圖形，利用蝕刻.

蝕刻是指以酸性、腐蝕性或有研磨效用的物質在玻璃表面上創作的技術。傳統上，這段過程是在玻璃 ... 到了近代，現在的蝕刻應用在半導體的製程上，透過黃光製程來定義出想要的圖形，利用蝕刻來得到。 半導體的蝕刻可分為乾式蝕刻與溼式蝕刻：.

化學濕製程中的黃光顯影、蝕刻和剝膜製程，主要應用於印刷電路板( PCB) 及顯示器與觸控面板的生產。此外，太陽能電池生產中的蝕刻製程，亦同等重要。Manz 的 ...

蝕刻(Etching). ▫. 表面物質去除化的製程: 化學蝕刻、物理蝕刻、複合蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻或整面全區蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. ▫.

移除晶圓表面的材料. ▫ 化學蝕刻, 物理蝕刻或是兩者的組合. ▫ 選擇性蝕刻或是整面全區蝕刻. ▫ 選擇性蝕刻是將光阻上的IC設計圖案轉移到晶圓表面. ▫ 其他的應用: ...